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1，查看捕捉点设置是否正确.08工艺为0.1,06工艺为0.05,05工艺为0.025.
2，Cell名称不能以数字开头.否则无法做DRACULA检查.
3，布局前考虑好出PIN的方向和位置
4，布局前分析电路，完成同一功能的MOS管画在一起
5，对两层金属走向预先订好。一个图中栅的走向尽量一致，不要有横有竖。
6，更改原理图后一定记得check and save
7，完成每个cell后要归原点
8，DEVICE的个数是否和原理图一至；各DEVICE的尺寸是否和原理图一至。一般在拿到原理图之后，会对布局有大概的规划，先画DEVICE，再连线。画DEVICE后从EXTRACTED中看参数检验对错。
9，如果一个cell调用其它cell，被调用的cell的vssx,vddx,vssb,vddb如果没有和cell连起来，要打上PIN,否则通不过diva检查.最好在布局低层cell时就连起来。
10，尽量用最上层金属接出PIN。
11，接出去的线拉到cell边缘,布局时记得留出走线空间.
12，金属连线不宜过长；
13，电容一般最后画，在空档处拼凑。
14，小尺寸的mos管孔可以少打一点.
15，LABEL标识元件时不要用y0层，GDS文件不认。
16，管子的沟道上不要走线
17，电容上下级板的电压注意要均匀分布；电容的长宽不宜相差过大。可以多个电阻联.
18，多晶硅不能两端都打孔连接金属。
19， 一般打孔最少打两个
20，薄氧化层是否有对应的植入层
21，金属连接孔可以嵌在diffusion的孔中间.
22，两段金属连接处重叠的地方注意金
23，连线接头处一定要重叠，画的时候将该区域放大可避免此错误。
24，摆放各个小CELL时注意不要挤得太近，没有留出走线空间。最后线只能从DEVICE上跨过去。
25，Text2,y0层只是用来做检查或标志用,不用于光刻制造.
26，芯片内部的电源线/地线和ESD上的电源线/地线分开接。
27，Pad的pass窗口的尺寸画成整数.
28，连接Esd电路的线不能断，如果改变走向不要换金属层
29，关于匹配电路，放大电路不需要和下面的电流源匹配。什么是匹配？使需要匹配的管子所处的光刻环境一样。 匹配分为横向，纵向，和中心匹配。
1221为纵向匹配，12为中心匹配（把上方1转到下方1时，上方2也达到下方2位置）
21中心匹配最佳。
30，尺寸非常小的匹配管子对匹配画法要求不严格.4个以上的匹配管子,局部和整体都匹配的匹配方式最佳.
31，关于powermos
①，powermos一般接pin，要用足够宽的金属线接，最好把整个powermos覆盖
②，几种缩小面积的画法。
32，金属层dummy要和金属走向一致，即如果M2横走，M2的dummy也是横走向
33，低层cell的pin,label等要整齐.不要删掉以备后用.出错检查:
34，DEVICE的各端是否都有连线；连线是否正确；
35，完成布局检查时要查看每个接线的地方是否都有连线，特别注意VSSX，VDDX
36，查线时用SHOTS将线高亮显示，便于找出可以合并或是缩短距离的金属线。
37，多个电阻（大于两根）打上DUMMY。保证每根电阻在光刻时所处的环境一样，最外面的电阻的NPIM层要超出EPOLY2 0.55 um，即两根电阻间距的一半。
38，无关的MOS管的THIN要断开，不要连在一起
39，并联的管子注意漏源合并，不要连错线。一个管子的源端是另一个管子的漏端
40，做DRAC检查时最上层的pin的名称用text2标识。Text2的名称要和该pin的名称一样.
41，大CELL不要做DIVA检查,用DRACULE.
42，消除电阻dummy的lvs报错，把nimp和RPdummy层移到最边缘的电阻，不要覆盖dummy节省面积的途径
43，电源线下面可以画有器件.节省面积.
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