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新物联号:强强的芯       发布时间:2022/5/31 14:25:50       共计:147 浏览

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10N65TO-220F封装里栅极阈值电压(VGS)为30V,是一款高速大电流MOS10N65的浪涌电流Ifsm40A,零栅极电压漏极电流(IDSS)为10uA,其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。10N65功耗(PD)65W,静态漏源导通电阻(RDS(ON))为0.8Ω10N65的电性参数是:正向电流(Io)10A,反向耐压为650V,反向恢复时间(Trr)为320NS,其中有4条引线。


10N65参数描述

型号:10N65

封装:TO-220F

特性:高速大电流MOS

电性参数:10A 650V

栅极阈值电压(VGS)30V

正向电流(Io)10A

功耗(PD)65W

静态漏源导通电阻(RDS(ON))0.8Ω

浪涌电流Ifsm40A

零栅极电压漏极电流(IDSS)10uA

反向恢复时间(Trr)320NS

工作温度:-55~+150

引线数量:3

 

10N65场效应管封装系列。它的本体度为15.87mm加引脚长度为28.8mm,宽度为10.16mm,高度为4.7mm脚间距为2.54mm


以上就是关于10N65-ASEMI场效应管10N65的详细介绍。ASEMI产品广泛应用于:开关电源、LED照明、集成电路、移动通讯、计算机、工业自动化控制设备、汽车电子以及液晶电视、IoT、智能家居、医疗仪器、 电磁炉等大小家电。

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