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新物联号:强强的芯       发布时间:2022/6/9 16:05:42       共计:292 浏览

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10N60TO-220AB封装里栅极阈值电压VGS(TH)4V,是一款小功率MOS10N60的脉冲正向电流ISM40A,连续漏极电流(ID)为10A,其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。10N60功耗(PD)155W,静态漏源导通电阻(RDS(ON))0.85Ω10N60的电性参数是:二极管正向电压(VSD)为1.5V,反向恢复时间(Trr)600nS,输出电容(Coss)180pF其中有3条引线。


10N60参数描述

型号:10N60

封装:TO-220AB

特性:中小功率MOS

电性参数:10A 600V

栅极阈值电压VGS(TH)4V

连续漏极电流(ID)10A

功耗(PD)155W

二极管正向电压(VSD)1.5V

静态漏源导通电阻(RDS(ON))0.85Ω

脉冲正向电流ISM40A

反向恢复时间(Trr)600nS

输出电容(Coss)180pF

贮存温度:-55~+150

引线数量:3

 

10N60属于TO-220AB封装系列。它的本体度为15.87mm加引脚长度为28.8mm,宽度为10.16mm,高度为4.7mm脚间距为2.54mm


以上就是关于10N60-ASEMI中小功率MOS10N60的详细介绍。ASEMI产品广泛应用于:开关电源、LED照明、集成电路、移动通讯、计算机、工业自动化控制设备、汽车电子以及液晶电视、IoT、智能家居、医疗仪器、 电磁炉等大小家电。

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